Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 32 A 1200 V N, 7 Ben, TO-263-7L, MaxSiC
- RS-varenummer:
- 790-413
- Producentens varenummer:
- MXP120A080SE-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 60,06
(ekskl. moms)
Kr. 75,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 60,06 |
| 10 - 99 | Kr. 42,34 |
| 100 - 499 | Kr. 35,38 |
| 500 - 799 | Kr. 31,49 |
| 800 + | Kr. 29,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-413
- Producentens varenummer:
- MXP120A080SE-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-263-7L | |
| Serie | MaxSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 185W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bredde | 10.28mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 9.23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-263-7L | ||
Serie MaxSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 185W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.7V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Bredde 10.28mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 9.23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay højtydende N-kanal MOSFET er designet til effektiv energiomdannelse i krævende anvendelser med avancerede koblingsfunktioner og robuste driftsegenskaber.
Hurtig skiftehastighed forbedrer systemets samlede ydeevne
Kortslutningsmodstandstid på 3 μs forbedrer pålideligheden
Gate-source-spænding på -10 til +22 V giver fleksibel drift
Kontinuerlig afløbsstrøm på 32 A sikrer effektiv funktionalitet
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 52 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 52 A 1200 V N TO-263-7L, MXP
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263-7L, SUM