Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 41 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247AD, MaxSiC
- RS-varenummer:
- 790-415
- Producentens varenummer:
- MXP120A063SL-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 72,78
(ekskl. moms)
Kr. 90,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 72,78 |
| 5 + | Kr. 71,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-415
- Producentens varenummer:
- MXP120A063SL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 41A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 205W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.21mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 16.13mm | |
| Længde | 23.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 41A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 205W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.21mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 16.13mm | ||
Længde 23.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 1200 V N-kanal SiC MOSFET er udviklet til højtydende strømapplikationer og giver effektivitet, hastighed og pålidelighed. Dens avancerede design sikrer robust drift under krævende forhold, mens den opretholder miljøvenlig overensstemmelse.
Hurtig skiftehastighed forbedrer effektiviteten ved strømomformning
Kortslutningsmodstandstid på 3 μs øger enhedens pålidelighed
Lav modstand i tændt tilstand på 63 mΩ ved 25 °C minimerer energitab
Høj mærkespænding på op til 1200 V understøtter alsidige anvendelser
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 51 A 1200 V N TO-247AD 3L, MXP
- Vishay N-kanal-Kanal 32 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC
- Vishay Type N-Kanal 29 A 1200 V Forbedring TO-247AD 3L, MXP120A
- Vishay N-kanal-Kanal 52 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC AEC-Q101