Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 41 A 1200 V N, 7 Ben, TO-263-7L, MaxSiC
- RS-varenummer:
- 790-412
- Producentens varenummer:
- MXP120A063SE-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 66,87
(ekskl. moms)
Kr. 83,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 66,87 |
| 5 + | Kr. 65,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-412
- Producentens varenummer:
- MXP120A063SE-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 41A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | MaxSiC | |
| Emballagetype | TO-263-7L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 221W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 9.23mm | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bredde | 10.28mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 41A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie MaxSiC | ||
Emballagetype TO-263-7L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 221W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 9.23mm | ||
Højde 4.5mm | ||
Bredde 10.28mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay højtydende N-kanal SiC MOSFET er designet til effektiv strømstyring i krævende anvendelser. Den udmærker sig i sin evne til at håndtere høje spændinger og sikre pålidelig drift.
Hurtig skiftehastighed forbedrer systemets samlede ydeevne
Kortslutningsmodstandstid på 3 μs sikrer pålidelighed under fejl
Driftsspændingsområde til gate-source-styring optimerer fleksibiliteten
Kontinuerlig drain-strømkapacitet understøtter robust energioverførsel
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 32 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 52 A 1200 V N TO-263-7L, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 52 A 1200 V N TO-263-7L, MXP
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 41 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC
- Vishay N-kanal-Kanal 31 A 1200 V N TO-247AD, MaxSiC AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263-7L, SUM