Vishay P-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -93 A -100 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-263, SQM
- RS-varenummer:
- 829-357
- Producentens varenummer:
- SQM100P10-19L_NE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,63
(ekskl. moms)
Kr. 19,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,63 |
| 10 - 24 | Kr. 15,26 |
| 25 - 99 | Kr. 14,89 |
| 100 + | Kr. 13,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-357
- Producentens varenummer:
- SQM100P10-19L_NE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -93A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0190Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 124nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.16mm | |
| Bredde | 10.28mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -93A | ||
Drain source spænding maks. Vds -100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0190Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 124nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.16mm | ||
Bredde 10.28mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
Vishay Power MOSFET er designet til bilanvendelser og giver effektiv ydeevne og høj pålidelighed. Dens avancerede TrenchFET-teknologi sikrer optimal termisk styring og effektive skiftefunktioner.
TrenchFET-teknologi forbedrer effektiviteten og den termiske ydeevne
Mærket til en drain-source-spænding på -100 V, hvilket sikrer robust drift
Hus designet til lav termisk modstand for bedre varmeafledning
Tester viser 100 % R- og UIS-validering for høj pålidelighed