Vishay P-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, -6.3 A -30 V Forbedringstilstand, 4 Ben, Microfoot, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 847-935
- Producentens varenummer:
- SI8409ADB-T1-E1
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 7,18
(ekskl. moms)
Kr. 8,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 7,18 |
| 10 - 99 | Kr. 5,09 |
| 100 - 499 | Kr. 3,22 |
| 500 - 999 | Kr. 2,24 |
| 1000 + | Kr. 1,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 847-935
- Producentens varenummer:
- SI8409ADB-T1-E1
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -6.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | Microfoot | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.046Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.77W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.6mm | |
| Højde | 0.62mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS3 Compliant | |
| Bredde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -6.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype Microfoot | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.046Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.77W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.6mm | ||
Højde 0.62mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS3 Compliant | ||
Bredde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay P-kanal MOSFET, der fungerer effektivt som en belastnings-, batteri- og laderkontakt. Dens ultrakompakte dimensioner og lave modstand ved tænding gør den meget effektiv til forskellige elektroniske anvendelser.
Micro Foot-emballagen giver et minimalt fodaftryk uden at gå på kompromis med ydeevnen
Lav modstand ved tænding maksimerer effektiviteten i strømstyring
Kompatibel med en lang række andre enheder, hvilket sikrer alsidighed i anvendelser
Understøtter høje mærkestrømme, hvilket forbedrer pålideligheden under krævende forhold
Fungerer inden for brede temperaturområder for at passe til forskellige miljøer
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedringstilstand TSOP-6, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 34.6 A 70 V Forbedringstilstand PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 16 A 12 V Forbedring Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 352 A 80 V Forbedringstilstand PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 33.7 A 80 V Forbedringstilstand P, SISS
- Vishay N-Kanal 125 A 80 V Forbedringstilstand P, SIR
- Vishay N-Kanal 3.4 A 30 V Forbedringstilstand P, SI