Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 125 A 80 V Forbedringstilstand, 8 Ben, P, SIR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 19,15

(ekskl. moms)

Kr. 23,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 19,15
10 - 99Kr. 12,27
100 - 499Kr. 8,45
500 - 999Kr. 7,18
1000 +Kr. 6,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
829-343
Producentens varenummer:
SIR680ADP-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

125A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SIR

Emballagetype

P

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00288Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bredde

5.15mm

Længde

6.15mm

Højde

1.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay Power MOSFET er designet til effektive omskiftningsanvendelser med et kompakt design, der optimerer pladsudnyttelse og termisk ydeevne i kredsløbsdesign.

N-kanal 80 V MOSFET med TrenchFET Gen IV-teknologi for fremragende ydeevne

Meget lav R-DS(on)-klassificering reducerer effekttab under drift

Impulse-drain-strømkapacitet på 300 A understøtter krævende anvendelser

Forbedrede termiske egenskaber sikrer pålidelighed ved høje temperaturer

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.