Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 14.2 A 100 V Forbedringstilstand, 8 Ben, P, SISS
- RS-varenummer:
- 829-345
- Producentens varenummer:
- SISS110DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 7,70
(ekskl. moms)
Kr. 9,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 7,70 |
| 10 - 99 | Kr. 4,79 |
| 100 - 499 | Kr. 3,14 |
| 500 - 999 | Kr. 2,39 |
| 1000 + | Kr. 2,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-345
- Producentens varenummer:
- SISS110DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | P | |
| Serie | SISS | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.054Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 24W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype P | ||
Serie SISS | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.054Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 24W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 3.3mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N-kanal MOSFET leverer effektive strømstyringsløsninger med fremragende ledningsevner. Den er designet til krævende anvendelser og giver fremragende koblings- og termisk ydeevne.
Har TrenchFET Gen IV-teknologi for overlegen effektivitet og ydeevne
Garanteret 100 % RDS(on) og UIS testet for pålidelighed i drift
Kontinuerlig mærkestrøm på 11 A sikrer robust levering
Optimeret til lave RDS(on)-værdier, hvilket forbedrer den termiske ydeevne