Vishay N-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 7 A 60 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, SISS
- RS-varenummer:
- 829-347
- Producentens varenummer:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 8,53
(ekskl. moms)
Kr. 10,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 8,53 |
| 10 - 99 | Kr. 6,13 |
| 100 - 499 | Kr. 3,74 |
| 500 - 999 | Kr. 2,62 |
| 1000 + | Kr. 2,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-347
- Producentens varenummer:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | SISS | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0285Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.30mm | |
| Højde | 1.04mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 3.30mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie SISS | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0285Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.30mm | ||
Højde 1.04mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 3.30mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishays banebrydende N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring. Den udmærker sig ved at reducere koblingsrelateret effekttab, samtidig med at den giver robust ydeevne på tværs af forskellige anvendelser.
Har TrenchFET Gen IV-teknologi for forbedret effektivitet
Fuldt blyfri enhed sikrer miljøvenlighed
Optimerede ladeegenskaber minimerer energitab
Omfattende Rg- og UIS-test garanterer pålidelighed