Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 87 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8PT, SIS Nej SiSA12BDN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 239-5400
- Producentens varenummer:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 52,14
(ekskl. moms)
Kr. 65,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.990 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,214 | Kr. 52,14 |
| 100 - 490 | Kr. 4,899 | Kr. 48,99 |
| 500 - 990 | Kr. 4,436 | Kr. 44,36 |
| 1000 - 2490 | Kr. 4,174 | Kr. 41,74 |
| 2500 + | Kr. 3,912 | Kr. 39,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5400
- Producentens varenummer:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 87A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8PT | |
| Serie | SIS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0043Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 87A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8PT | ||
Serie SIS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0043Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.75mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N kanal MOSFET har en drænstrøm på 87 A. Den anvendes til høj effekttæthed DC/DC, synkron ensretning, Vrms og integreret DC/DC, batteribeskyttelse
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 87 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 72 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA14BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 104 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA10BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA18BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 13 8 ben TrenchFET Si7252ADP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V PowerPAK 1212-8PT, TrenchFET SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 PowerPAK 1212-8S SISS42LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 20 V, PowerPAK 1212-8 SI7232DN-T1-GE3
