Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 44.4 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8PT AEC-Q101 SISA18BDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 46,15

(ekskl. moms)

Kr. 57,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.030 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 4,615Kr. 46,15
100 - 490Kr. 4,346Kr. 43,46
500 - 990Kr. 3,92Kr. 39,20
1000 - 2490Kr. 3,695Kr. 36,95
2500 +Kr. 3,456Kr. 34,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0291
Producentens varenummer:
SISA18BDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

44.4A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8PT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

33.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links