Vishay N-Kanal, MOSFET, 44.4 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
252-0282
Producentens varenummer:
SIS4604DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

44.4A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

33.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.3mm

Bredde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.