Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4608LDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 56,03

(ekskl. moms)

Kr. 70,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.030 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,603Kr. 56,03
100 - 490Kr. 5,258Kr. 52,58
500 - 990Kr. 4,757Kr. 47,57
1000 - 2490Kr. 4,488Kr. 44,88
2500 +Kr. 4,211Kr. 42,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0289
Producentens varenummer:
SIS4608LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

33.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links