Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 252-0289
- Producentens varenummer:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 69,94
(ekskl. moms)
Kr. 87,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.030 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,994 | Kr. 69,94 |
| 100 - 490 | Kr. 6,567 | Kr. 65,67 |
| 500 - 990 | Kr. 5,954 | Kr. 59,54 |
| 1000 - 2490 | Kr. 5,595 | Kr. 55,95 |
| 2500 + | Kr. 5,251 | Kr. 52,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0289
- Producentens varenummer:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 36.2 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 43.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 45.9 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 35.7 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8, SiS4608DN AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 44.4 A 60 V Udtømning PowerPAK 1212-8PT AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 42.8 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 51 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101