Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SIS4608LDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 56,03

(ekskl. moms)

Kr. 70,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.030 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,603Kr. 56,03
100 - 490Kr. 5,258Kr. 52,58
500 - 990Kr. 4,757Kr. 47,57
1000 - 2490Kr. 4,488Kr. 44,88
2500 +Kr. 4,211Kr. 42,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0289
Producentens varenummer:
SIS4608LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01mΩ

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

33.7W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links