Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 42.8 A 60 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 252-0278
- Producentens varenummer:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 71,36
(ekskl. moms)
Kr. 89,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.025 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,272 | Kr. 71,36 |
| 50 - 245 | Kr. 13,404 | Kr. 67,02 |
| 250 - 495 | Kr. 12,118 | Kr. 60,59 |
| 500 - 1245 | Kr. 11,40 | Kr. 57,00 |
| 1250 + | Kr. 10,742 | Kr. 53,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0278
- Producentens varenummer:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 42.8 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 51 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 49.3 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 48.1 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 42.4 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 63.7 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 84.8 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 93.6 A 60 V Udtømning PowerPAK SO-8 AEC-Q101