Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.025,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.282,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,675Kr. 5.025,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8339
Producentens varenummer:
SIS112LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SIS

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.119Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

19.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET er en enkelt konfigurations MOSFET. Den er blyfri og halogenfri, og den anvendes som primær sidekontakt, motordrevskontakt og boost-konverter.

Afstemmet til den laveste værdi

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.