Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS112LDN-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 6.783,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.478,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,261Kr. 6.783,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8339
Producentens varenummer:
SIS112LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Serie

SIS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.119Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

19.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET er en enkelt konfigurations MOSFET. Den er blyfri og halogenfri, og den anvendes som primær sidekontakt, motordrevskontakt og boost-konverter.

Afstemmet til den laveste værdi

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links