Vishay N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SIS
- RS-varenummer:
- 279-9974
- Producentens varenummer:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.330,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.920,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,11 | Kr. 6.330,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9974
- Producentens varenummer:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIS | |
| Emballagetype | 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.029Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIS | ||
Emballagetype 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.029Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Reducerer koblingsrelateret effekttab
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 8 A 60 V Forbedring 1212-8, SIS
- Vishay N-Kanal 36 A 40 V Forbedring 1212-8, SISS
- Vishay N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 66.6 A 80 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 128 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 40.7 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 198 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS