Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8, SISS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 55,95

(ekskl. moms)

Kr. 69,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,595Kr. 55,95
50 - 90Kr. 4,204Kr. 42,04
100 - 240Kr. 3,733Kr. 37,33
250 - 990Kr. 3,65Kr. 36,50
1000 +Kr. 3,575Kr. 35,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9990
Producentens varenummer:
SISS4410DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

1212-8

Serie

SISS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

19.8W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links