Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 33.7 A 80 V Forbedringstilstand, 8 Ben, P, SISS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 12,19

(ekskl. moms)

Kr. 15,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 12,19
10 - 99Kr. 7,70
100 - 499Kr. 5,01
500 - 999Kr. 3,96
1000 +Kr. 3,52

*Vejledende pris

RS-varenummer:
829-346
Producentens varenummer:
SISS128LDN-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33.7A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SISS

Emballagetype

P

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0156Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.5nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Højde

1.04mm

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay højtydende N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring i et kompakt hus, der sikrer pålidelig drift på tværs af forskellige krævende anvendelser.

TrenchFET Gen IV-teknologi muliggør forbedret effektivitet og termisk ydeevne

Lav RDS(on)-værdier, der optimerer ledningstab under drift

Testet for høj pålidelighed med 100 % R- og UIS-belastede enheder

Robuste specifikationer med en mærkespænding på 80 V drain-source og en maksimal strømstyrke på 33,7 A

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.