Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 34.6 A 70 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 847-936
- Producentens varenummer:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed, på en tape med 1)*
Kr. 14,51
(ekskl. moms)
Kr. 18,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,51 |
| 10 - 99 | Kr. 9,13 |
| 100 - 499 | Kr. 6,21 |
| 500 - 999 | Kr. 5,01 |
| 1000 + | Kr. 4,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 847-936
- Producentens varenummer:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.020Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS3 Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.020Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Bredde 3.3mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS3 Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay dobbelt N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring, primært tjener i omskiftningsanvendelser, der kræver høj pålidelighed og ydeevne under varierende spændingsforhold.
Fungerer med en maksimal drain-source-spænding på 70 V for robust ydeevne
Optimeret til konfigurationer med 50 % driftscyklus, hvilket forbedrer effektiviteten ved omskiftning
Anvender flip-chip-teknologi, der giver overlegen termisk design for bedre varmeafledning
100 % testet for R og UIS for at sikre pålidelighed i kritiske anvendelser
Relaterede links
- Vishay Dual N-Kanal 125 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Dual N-Kanal 60 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF456LDT
- Vishay Dual N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT
- Vishay N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedringstilstand TSOP-6, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -6.3 A -30 V Forbedringstilstand Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 33.7 A 80 V Forbedringstilstand P, SISS
- Vishay N-Kanal 125 A 80 V Forbedringstilstand P, SIR
- Vishay N-Kanal 149 A 80 V Forbedringstilstand P, SI