Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 2.5 A 20 V Forbedringstilstand, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 847-934
- Producentens varenummer:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 5,76
(ekskl. moms)
Kr. 7,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 5,76 |
| 10 - 99 | Kr. 3,96 |
| 100 - 499 | Kr. 2,54 |
| 500 - 999 | Kr. 1,50 |
| 1000 + | Kr. 1,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 847-934
- Producentens varenummer:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.200Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.15W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS3 Compliant | |
| Bredde | 1.6mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.200Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.15W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS3 Compliant | ||
Bredde 1.6mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET kombinerer både N- og P-kanalfunktionalitet for effektiv ydeevne i forskellige anvendelser. Denne enhed maksimerer energieffektiviteten, samtidig med at den opretholder pålideligheden i kompakte rum.
TrenchFET-teknologi sikrer lav modstand ved tænding for bedre effektivitet
Giver en maksimal drain-source-spænding på 30 V for N-kanal og -30 V for P-kanal
Kontinuerlig afløbsstrøm mærket på op til 3,7 A for pålidelig drift
Ledningerne er halogenfri, hvilket fremmer miljømæssig bæredygtighed
Har et kompakt TSOP-6-pakke til pladsbesparende design
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 6 A 30 V Forbedringstilstand TSOP-6, SI
- Vishay N-Kanal 6 A 30 V Forbedringstilstand TSOP-6, SI
- Vishay N-Kanal 3.4 A 30 V Forbedringstilstand P, SI
- Vishay P-kanal-Kanal -6.3 A -30 V Forbedringstilstand Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 8 A 60 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal 6.8 A 30 V Forbedringstilstand TSOP-6, SQ
- Vishay N-Kanal 34.6 A 70 V Forbedringstilstand PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET