Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 3.4 A 30 V Forbedringstilstand, 6 Ben, P, SI

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 5,83

(ekskl. moms)

Kr. 7,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 5,83
10 - 99Kr. 4,04
100 - 499Kr. 2,54
500 - 999Kr. 1,65
1000 +Kr. 1,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
829-363
Producentens varenummer:
SIA432BDJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SI

Emballagetype

P

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.0192Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

15.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.05mm

Bredde

2.05mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay højtydende N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring i forskellige anvendelser. Dens robuste konstruktion muliggør pålidelig funktion under krævende forhold.

30 V drain-kilde-spænding letter alsidigt anvendelsesområde

Maks. modstand i tændt tilstand på 0,0192 ohm ved 10 V forbedrer strømeffektiviteten

Konfigureret som en enkelt enhed, der optimerer plads og ydeevne

Designet med TrenchFET-teknologi for fremragende koblingsevner

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.