Vishay Dual N-Kanal, MOSFET, 60 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF456LDT
- RS-varenummer:
- 736-357
- Producentens varenummer:
- SIZF456LDT-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 12,57
(ekskl. moms)
Kr. 15,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 + | Kr. 12,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 736-357
- Producentens varenummer:
- SIZF456LDT-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | SIZF456LDT | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0016Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie SIZF456LDT | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0016Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET tilbyder højtydende dobbelt N-kanal-funktionalitet, der giver effektiv termisk styring ved hjælp af flip-chip-teknologi for at forbedre varmeafledning. Denne enhed er specielt designet til krævende anvendelser som f.eks. synkrone buck-konvertere og DC/DC-telekommunikationskredsløb.
Robust design med en konstant mærkestrøm på 42,5 A
Garanteret termisk stabilitet med en maksimal modstandsdygtighed over for omgivelser på 28 °C/W
Relaterede links
- Vishay Dual N-Kanal 125 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Dual N-Kanal 100 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT
- Vishay N-Kanal 34.6 A 70 V Forbedringstilstand PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 100 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 125 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal 36 A 80 V Forbedring 3 x 3FS, SIZF4800LDT