Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 31.8 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Nej SIZ256DT-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 67,47

(ekskl. moms)

Kr. 84,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 13,494Kr. 67,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2937
Producentens varenummer:
SIZ256DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31.8A

Drain source spænding maks. Vds

70V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0176Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 70 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links