Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 31.8 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Nej SIZ256DT-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 67,47

(ekskl. moms)

Kr. 84,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 13,494Kr. 67,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2937
Producentens varenummer:
SIZ256DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31.8A

Drain source spænding maks. Vds

70V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0176Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 70 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links