Vishay 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 258 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 106,22

(ekskl. moms)

Kr. 132,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 12.650 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 21,244Kr. 106,22
50 - 120Kr. 19,986Kr. 99,93
125 - 245Kr. 18,042Kr. 90,21
250 - 495Kr. 16,98Kr. 84,90
500 +Kr. 15,948Kr. 79,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2943
Producentens varenummer:
SiZF928DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

258A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5F

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00245Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

16V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 30 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.