Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 258 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET Nej SiZF928DT-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 72,11

(ekskl. moms)

Kr. 90,14

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 12.650 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,422Kr. 72,11
50 - 120Kr. 13,554Kr. 67,77
125 - 245Kr. 12,268Kr. 61,34
250 - 495Kr. 11,55Kr. 57,75
500 +Kr. 10,832Kr. 54,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2943
Producentens varenummer:
SiZF928DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

258A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5F

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00245Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 30 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links