Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 38 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 172,25

(ekskl. moms)

Kr. 215,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 6,89Kr. 172,25
125 - 225Kr. 5,652Kr. 141,30
250 - 600Kr. 5,167Kr. 129,18
625 - 1225Kr. 4,476Kr. 111,90
1250 +Kr. 4,135Kr. 103,38

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6874
Producentens varenummer:
SiZ250DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3FDC

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01887Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Højde

0.75mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 er en dobbelt N-kanal 60 V (D-S) MOSFET'er.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Optimeret Qgs/Qgs-forhold forbedrer skift

Egenskaber

Relaterede links