Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 38 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6874
- Producentens varenummer:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 199,725
(ekskl. moms)
Kr. 249,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 7,989 | Kr. 199,73 |
| 125 - 225 | Kr. 6,552 | Kr. 163,80 |
| 250 - 600 | Kr. 5,99 | Kr. 149,75 |
| 625 - 1225 | Kr. 5,191 | Kr. 129,78 |
| 1250 + | Kr. 4,796 | Kr. 119,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6874
- Producentens varenummer:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3FDC | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01887Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3FDC | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01887Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SiZ250DT-T1-GE3 er en dobbelt N-kanal 60 V (D-S) MOSFET'er.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
100 % Rg og UIS-testet
Optimeret Qgs/Qgs-forhold forbedrer skift
Egenskaber
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET