Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 48 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6853
- Producentens varenummer:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 231,125
(ekskl. moms)
Kr. 288,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 9,245 | Kr. 231,13 |
| 50 - 100 | Kr. 7,767 | Kr. 194,18 |
| 125 - 225 | Kr. 7,408 | Kr. 185,20 |
| 250 - 600 | Kr. 6,932 | Kr. 173,30 |
| 625 + | Kr. 6,475 | Kr. 161,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6853
- Producentens varenummer:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00805Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00805Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SiZ240DT-T1-GE3 er en dobbelt N-kanal 40 V (D-S) MOSFET'er.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Integreret MOSFET half-bridge effekttrin
100 % Rg og UIS-testet
Optimeret Qgs/Qgs-forhold forbedrer skiftens egenskaber
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV