Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 69.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Nej SiZ340BDT-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 125,075

(ekskl. moms)

Kr. 156,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 5,003Kr. 125,08
125 - 225Kr. 4,503Kr. 112,58
250 - 600Kr. 4,258Kr. 106,45
625 - 1225Kr. 3,504Kr. 87,60
1250 +Kr. 2,501Kr. 62,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2939
Producentens varenummer:
SiZ340BDT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

69.3A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00856Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

31W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links