Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 69.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2939
- Producentens varenummer:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 143,625
(ekskl. moms)
Kr. 179,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.950 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 5,745 | Kr. 143,63 |
| 125 - 225 | Kr. 5,17 | Kr. 129,25 |
| 250 - 600 | Kr. 4,889 | Kr. 122,23 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,021 | Kr. 100,53 |
| 1250 + | Kr. 2,872 | Kr. 71,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2939
- Producentens varenummer:
- SiZ340BDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 69.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00856Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 69.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00856Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay dobbelt N-kanal 30-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 19.1 A 100 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, SiZ270DT
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 257 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET