Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 69.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 125,075

(ekskl. moms)

Kr. 156,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 5.950 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 5,003Kr. 125,08
125 - 225Kr. 4,503Kr. 112,58
250 - 600Kr. 4,258Kr. 106,45
625 - 1225Kr. 3,504Kr. 87,60
1250 +Kr. 2,501Kr. 62,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2939
Producentens varenummer:
SiZ340BDT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

69.3A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00856Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

31W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 30-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links