Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 69,26

(ekskl. moms)

Kr. 86,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.770 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 6,926Kr. 69,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3944
Producentens varenummer:
SiZ350DT-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

16.7W

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

-55°C

Længde

3mm

Højde

0.75mm

Bredde

3 mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Højside og lavside MOSFET'er danner optimeret

kombination til 50 % driftscyklus

Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM løfter

effektivitet til højfrekvent omskiftning

ANVENDELSER

Synkron

DC-til-DC-nedkonvertering

Halvbro

POL

Relaterede links