Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3944
- Producentens varenummer:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 27,06
(ekskl. moms)
Kr. 33,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.770 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 2,706 | Kr. 27,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3944
- Producentens varenummer:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 16.7W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 16.7W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Højside og lavside MOSFET'er danner optimeret
kombination til 50 % driftscyklus
Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM løfter
effektivitet til højfrekvent omskiftning
ANVENDELSER
Synkron
DC-til-DC-nedkonvertering
Halvbro
POL
Relaterede links
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 257 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV