Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET Nej

Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
178-3703
Producentens varenummer:
SiZ350DT-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

150°C

Effektafsættelse maks. Pd

16.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.75mm

Bredde

3 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Højside og lavside MOSFET'er danner optimeret

kombination til 50 % driftscyklus

Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM løfter

effektivitet til højfrekvent omskiftning

ANVENDELSER

Synkron

DC-til-DC-nedkonvertering

Halvbro

POL

Relaterede links