Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 38 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.677,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.347,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,559Kr. 10.677,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6873
Producentens varenummer:
SiZ250DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3FDC

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.01887Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Højde

0.75mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiZ250DT-T1-GE3 er en dobbelt N-kanal 60 V (D-S) MOSFET'er.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Optimeret Qgs/Qgs-forhold forbedrer skift

Egenskaber

Relaterede links