Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 125 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT Nej SIZF5300DT-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 252-0293
- Producentens varenummer:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,47
(ekskl. moms)
Kr. 108,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.040 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,294 | Kr. 86,47 |
| 50 - 120 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 125 - 245 | Kr. 14,706 | Kr. 73,53 |
| 250 - 495 | Kr. 13,824 | Kr. 69,12 |
| 500 + | Kr. 12,956 | Kr. 64,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0293
- Producentens varenummer:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | SiZF5300DT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00351Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie SiZF5300DT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00351Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 3.3mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Field-Effect betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V Power MOSFET Symmetrisk dobbelt N-kanal flip-chip-teknologi optimalt termisk design MOSFET'er på høj side og lav side danner en optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM øger effektiviteten til højfrekvent skift
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 125 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 16 A 30 V, PowerPAIR SIZ918DT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 36 A 80 V 3 x 3FS SIZF4800LDT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 8 PowerPAIR 3 x 3S SIZ260DT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 258 A. 30 V PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET SiZF928DT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 257 A 30 V PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET SiZF906BDT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 69.3 A. 30 V PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET SiZ340BDT-T1-GE3