Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, Dual N-kanal 30 V (D-S) MOSFET, 100 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 85,95

(ekskl. moms)

Kr. 107,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.035 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 17,19Kr. 85,95
50 - 120Kr. 16,142Kr. 80,71
125 - 245Kr. 14,60Kr. 73,00
250 - 495Kr. 13,748Kr. 68,74
500 +Kr. 12,896Kr. 64,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0295
Producentens varenummer:
SIZF5302DT-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Dual N-kanal 30 V (D-S) MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

12

Drain source modstand maks. Rds

0.0032Ω

Effektafsættelse maks. Pd

48.1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.7nC

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V Power MOSFET Symmetrisk dobbelt N-kanal flip-chip-teknologi optimalt termisk design MOSFET'er på høj side og lav side danner en optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM øger effektiviteten til højfrekvent skift

Relaterede links