Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, Dual N-kanal 30 V (D-S) MOSFET, 100 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS
- RS-varenummer:
- 252-0295
- Producentens varenummer:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 103,52
(ekskl. moms)
Kr. 129,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.035 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,704 | Kr. 103,52 |
| 50 - 120 | Kr. 19,448 | Kr. 97,24 |
| 125 - 245 | Kr. 17,578 | Kr. 87,89 |
| 250 - 495 | Kr. 16,546 | Kr. 82,73 |
| 500 + | Kr. 15,528 | Kr. 77,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 252-0295
- Producentens varenummer:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Dual N-kanal 30 V (D-S) MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0032Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.7nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Dual N-kanal 30 V (D-S) MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0032Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.7nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.
TrenchFET Gen V Power MOSFET Symmetrisk dobbelt N-kanal flip-chip-teknologi optimalt termisk design MOSFET'er på høj side og lav side danner en optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM øger effektiviteten til højfrekvent skift
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 100 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 100 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT
- Vishay Dual N-Kanal 125 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 125 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 60 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF456LDT
- Vishay Type N-Kanal 16 A 30 V, PowerPAIR
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET