Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 8,90

(ekskl. moms)

Kr. 11,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 +Kr. 8,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-358
Producentens varenummer:
SIZF5302DT-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Dobbelt N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SIZF5302DT

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

12

Drain source modstand maks. Rds

0.0032Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

48.1W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

16V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay Dual N-kanal MOSFET, der effektivt styrer strømmen i forskellige anvendelser som f.eks. synkron buck og computerperifere enheder.

Udnytter TrenchFET Gen V-teknologi for forbedret effektivitet

Har dobbelt N-kanal-arkitektur, der optimerer varmeafledning

Kan håndtere en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 28,1 A ved 25 °C

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.