Vishay 2 Type N-Kanal Symmetrisk dobbelt N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 146,08

(ekskl. moms)

Kr. 182,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.975 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 29,216Kr. 146,08
25 - 45Kr. 27,466Kr. 137,33
50 - 120Kr. 24,834Kr. 124,17
125 - 245Kr. 23,368Kr. 116,84
250 +Kr. 21,916Kr. 109,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0298
Producentens varenummer:
SIZF640DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

159A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00137Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Symmetrisk dobbelt N-kanal

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen IV effekt MOSFET 100 % Rg og UIS testet Symmetrisk dobbelt N-kanal Flip chip teknologi optimalt termisk design Høj side og lav side MOSFET danner optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus

Relaterede links