Vishay 2 Type N-Kanal Symmetrisk dobbelt N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 146,08

(ekskl. moms)

Kr. 182,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.975 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 29,216Kr. 146,08
25 - 45Kr. 27,466Kr. 137,33
50 - 120Kr. 24,834Kr. 124,17
125 - 245Kr. 23,368Kr. 116,84
250 +Kr. 21,916Kr. 109,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0298
Producentens varenummer:
SIZF640DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

159A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00137Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Transistorkonfiguration

Symmetrisk dobbelt N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen IV effekt MOSFET 100 % Rg og UIS testet Symmetrisk dobbelt N-kanal Flip chip teknologi optimalt termisk design Høj side og lav side MOSFET danner optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus

Relaterede links