Vishay 2 N-Kanal Symmetrisk dobbelt N-kanal, MOSFET, 159 A 40 V, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5FS

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 45.102,00

(ekskl. moms)

Kr. 56.376,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 15,034Kr. 45.102,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
252-0296
Producentens varenummer:
SIZF640DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

159A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00137Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Symmetrisk dobbelt N-kanal

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen IV effekt MOSFET 100 % Rg og UIS testet Symmetrisk dobbelt N-kanal Flip chip teknologi optimalt termisk design Høj side og lav side MOSFET danner optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.