Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 125 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.273,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.092,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,091Kr. 15.273,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
252-0292
Producentens varenummer:
SIZF5300DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

125A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SiZF5300DT

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3FS

Monteringstype

Overflade

Benantal

12

Drain source modstand maks. Rds

0.00351Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Højde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Field-Effect betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V Power MOSFET Symmetrisk dobbelt N-kanal flip-chip-teknologi optimalt termisk design MOSFET'er på høj side og lav side danner en optimeret kombination til 50 % arbejdscyklus Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM øger effektiviteten til højfrekvent skift

Relaterede links