Vishay N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

RS-varenummer:: 256-7436
Producentens varenummer:: SIZ260DT-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 12.906,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.134,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 4,302	Kr. 12.906,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7436
Producentens varenummer:: SIZ260DT-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8.9A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	PowerPAIR 3 x 3S
	Serie	SIZ260DT
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0247Ω
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	33W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.3nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	3.3mm
	Længde	3.3mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.9A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S
	Serie SIZ260DT
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0247Ω
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 33W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 3.3mm
	Længde 3.3mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

Vishay SIZ260DT seriens MOSFET, 33 W maksimal effekttab, 80 V maksimal drain source-spænding - SIZ260DT-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakt elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver moderat spændingshåndtering og høj kontinuerlig strømkapacitet. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og leveres i en kompakt PowerPAIR 3x3S-pakke til tætte kortlayouts.

Egenskaber og fordele:

• 80 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching
• 8,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med høj belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) reducerer ledningstab for effektivitet
• 6.3 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 33 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-grænse giver bred gate-drive-margen

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Anvendes til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Ideel til strømstyring i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til synkron ensretning i SMPS
• Velegnet til stærkstrømsbelastningskontakter på kompakte kort

Hvilket pakkefodaftryk skal jeg tillade montering?

Enheden leveres i en PowerPAIR 3x3S-pakke til overflademontering med et nominelt fodaftryk på 3,3 mm x 3,3 mm og otte ben, så designpuder skal matche den kompakte form.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C og opretholder ledningsførings- og koblingsegenskaber inden for dette temperaturområde.

Hvilke portdrevbegrænsninger skal overholdes?

Den maksimalt tilladte gate-source-spænding er 20 V

Gate-drive-kredsløb skal være designet til at holde Vgs inden for denne grænse for at undgå enhedsbelastning.

Hvordan skal varmestyring overvejes i konstruktioner?

Med en maksimal effekttab på 33 W skal der integreres tilstrækkeligt printkobber, termiske ledninger eller varmeafledere for at holde forbindelsestemperaturen inden for sikre grænser.