Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

RS-varenummer:: 256-7436
Producentens varenummer:: SIZ260DT-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 12.906,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.134,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 26. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 4,302	Kr. 12.906,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 256-7436
Producentens varenummer:: SIZ260DT-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8.9A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	PowerPAIR 3 x 3S
	Serie	SIZ260DT
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0247Ω
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.3nC
	Effektafsættelse maks. Pd	33W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	3.3mm
	Længde	3.3mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.9A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S
	Serie SIZ260DT
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0247Ω
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC
	Effektafsættelse maks. Pd 33W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 3.3mm
	Længde 3.3mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

Vishay SIZ260DT seriens MOSFET, 80 V drain source spænding, 8,9 A kontinuerlig drain strøm - SIZ260DT-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømstyring i industrielle elektroniske systemer. Den fungerer ved høje temperaturer og understøtter moderate kontinuerlige strømme, hvilket gør den velegnet til kompakte enheder, hvor termisk modstandsdygtighed og spændingshåndtering er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 80 V drain-klassificering muliggør brug i kredsløb med mellemspænding
• 8,9 A kontinuerlig strøm muliggør vedvarende belastningskørsel
• 0,0247 Ω Rds(on) reducerer ledningstab
• 6,3 nC typisk gate-ladning understøtter hurtig omskiftning
• 33 W effekttab muliggør højere effekthåndtering
• ±20 V porttolerance passer til forskellige portdrevområder

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-konvertere i automatiseringsudstyr
• Ideel til motor-driver-trin i industrielle drev
• Anvendes til strømkobling i styremoduler
• Kan bruges til belastningsswitching i batteristyring
• Velegnet til kompakte SMD-strømforsyningsenheder i elektriske systemer

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?

Den er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med brede termiske udsving.

Hvordan påvirker pakkeformen printkortlayout?

PowerPAIR 3x3S SMD-pakken med otte ben koncentrerer strøm- og signalben til korte termiske veje og nemt termisk pad-design.

Er denne enhed velegnet til brug i biler?

Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder, så det bør ikke vælges, hvor der kræves en formel godkendelse af bilkvalitet.

Hvad er fordelene ved enhedens antal ben til kredsløbsdesign?

Den otte-benede arrangement adskiller gate- og kildetilslutninger fra strømbaner, hvilket forenkler gate-drive-routing og termisk styring.