Vishay N-Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, SIZ260DT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 72,71

(ekskl. moms)

Kr. 90,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.675 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,542Kr. 72,71
50 - 95Kr. 14,078Kr. 70,39
100 - 245Kr. 11,908Kr. 59,54
250 - 995Kr. 11,654Kr. 58,27
1000 +Kr. 8,558Kr. 42,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7437
Producentens varenummer:
SIZ260DT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.9A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3S

Serie

SIZ260DT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0247Ω

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.3nC

Driftstemperatur maks.

+150°C

Bredde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIZ260DT seriens MOSFET, 33 W maksimal effekttab, 80 V maksimal drain source-spænding - SIZ260DT-T1-GE3


Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakt elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver moderat spændingshåndtering og høj kontinuerlig strømkapacitet. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og leveres i en kompakt PowerPAIR 3x3S-pakke til tætte kortlayouts.

Egenskaber og fordele:


• 80 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching
• 8,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med høj belastning
• 0.0247 Ω Rds(on) reducerer ledningstab for effektivitet
• 6.3 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 33 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-grænse giver bred gate-drive-margen

Anvendelser


• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Anvendes til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Ideel til strømstyring i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til synkron ensretning i SMPS
• Velegnet til stærkstrømsbelastningskontakter på kompakte kort

Hvilket pakkefodaftryk skal jeg tillade montering?


Enheden leveres i en PowerPAIR 3x3S-pakke til overflademontering med et nominelt fodaftryk på 3,3 mm x 3,3 mm og otte ben, så designpuder skal matche den kompakte form.

Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C og opretholder ledningsførings- og koblingsegenskaber inden for dette temperaturområde.

Hvilke portdrevbegrænsninger skal overholdes?


Den maksimalt tilladte gate-source-spænding er 20 V

Gate-drive-kredsløb skal være designet til at holde Vgs inden for denne grænse for at undgå enhedsbelastning.

Hvordan skal varmestyring overvejes i konstruktioner?


Med en maksimal effekttab på 33 W skal der integreres tilstrækkeligt printkobber, termiske ledninger eller varmeafledere for at holde forbindelsestemperaturen inden for sikre grænser.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.