Vishay N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Forbedring, 4 Ben, Microfoot, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-232
- Producentens varenummer:
- SI8916EDB-T6-E1
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 735-232
- Producentens varenummer:
- SI8916EDB-T6-E1
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | Microfoot | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.77W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 0.13mm | |
| Længde | 1.11mm | |
| Bredde | 1.11mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype Microfoot | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.77W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 0.13mm | ||
Længde 1.11mm | ||
Bredde 1.11mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 16 A 12 V Forbedring Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 3.5 A 8 V Forbedring Microfoot, SI8802DB
- Vishay N-Kanal 16 A 8 V Microfoot
- Vishay N-Kanal 2.1 A 20 V Microfoot, SI8824EDB
- Vishay Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring Microfoot, Si8489EDB
- Vishay P-kanal-Kanal -6.3 A -30 V Forbedringstilstand Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET