Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Forbedring, 4 Ben, Microfoot, Si8489EDB
- RS-varenummer:
- 165-6345
- Producentens varenummer:
- SI8489EDB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.470,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.580,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,49 | Kr. 4.470,00 |
| 6000 + | Kr. 1,40 | Kr. 4.200,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6345
- Producentens varenummer:
- SI8489EDB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | Microfoot | |
| Serie | Si8489EDB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.5nC | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.268mm | |
| Længde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype Microfoot | ||
Serie Si8489EDB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.5nC | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.268mm | ||
Længde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring Microfoot, Si8489EDB
- Vishay Type P-Kanal 16 A 12 V Forbedring Microfoot, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 3.5 A 8 V Forbedring Microfoot, SI8802DB
- Vishay N-Kanal 16 A 8 V Microfoot
- Vishay N-Kanal 2.1 A 20 V Microfoot, SI8824EDB
- Vishay N-Kanal 2.5 A 20 V Forbedring Microfoot, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -6.3 A -30 V Forbedringstilstand Microfoot, TrenchFET
- DiodesZetex P-kanal-Kanal -4.3 A -30 V Forbedring SOT-23, DMP3056L
