onsemi N-Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L
- RS-varenummer:
- 103-2965
- Producentens varenummer:
- BSS138LT1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 15000 flere for at gemme 2%
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.128,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.410,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 36.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 3000 - 12000 | Kr. 0,376 | Kr. 1.128,00 | - |
| 15000 + | Kr. 0,367 | Kr. 1.101,00 | 2% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-2965
- Producentens varenummer:
- BSS138LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Serie | BSS138L | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 940μm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Serie BSS138L | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 940μm | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CZ
N-kanal Power MOSFET, 50 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 200 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS138L
- onsemi N-Kanal 200 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS138L AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 2.4 A 30 V Forbedring SOT-23
- onsemi N-Kanal 2.2 A 60 V Forbedring SOT-23
- onsemi N-Kanal 2.2 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN337N
- onsemi N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A
- onsemi N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN357N
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002KW