Infineon N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 110-9115
Producentens varenummer:: BSC097N06NSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 46 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Indhold (25 enheder, i en pakke med 25)*

Kr. 44,88

(ekskl. moms)

Kr. 56,10

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

4.375 enhed(er) afsendes fra 10. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 1,795	Kr. 44,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 110-9115
Producentens varenummer:: BSC097N06NSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	46A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	14.6mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	36W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.1mm
	Bredde	6.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5.35mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 14.6mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 36W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.1mm
	Bredde 6.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5.35mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V drain source spænding, 46 A kontinuerlig drain strøm - BSC097N06NSATMA1

Denne MOSFET er en effekttransistor, der er designet til omskiftning og forstærkning i kredsløb med høj strømstyrke og lav spænding. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og leveres i en kompakt pakke til overflademontering, der er velegnet til tætte kortlayouter. Enheden er beregnet til krævende elektroniske enheder, hvor effektiv ledning og gate-styring er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• Maksimal drain-source-spænding 60 V muliggør robust lavspændingsswitching
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 46 A understøtter håndtering af højstrømsbelastning
• Lav RDS(on) på 14,6 mΩ reducerer ledningstab i strømveje
• Maks. effekttab på 36 W muliggør vedvarende termisk belastning
• Typisk gate-opladning 12 nC giver hurtige gate-overgange
• Gate-source-tolerance på 20 V muliggør fleksible driftsspændinger

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-regulatortrin
• Ideel til motordrevne halvbrokredsløb
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i serverstrømforsyninger
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Velegnet til omskiftning af belastningspunkt med høj strømstyrke

Hvilket termisk miljø kan den modstå under drift?

Den er normeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af industrielle anvendelser og anvendelser med forhøjede temperaturer.

Hvilken pakke og monteringsmetode er til rådighed til printkortmontering?

Komponenten leveres i en TDSON-pakke og er designet til overflademontering for at lette automatiseret samling.

Hvilken kanaltype og -tilstand er implementeret for skifteadfærd?

Enheden bruger en N-kanal-forstærkning-tilstandstopologi, der er velegnet til lav- og høj-side-switching, når den drives korrekt.

Hvor mange elektriske forbindelser har enheden til et kredsløb?

Den har en 8-benet konfiguration til at rumme port-, drain- og kildetilslutninger og varmeledningsstier.