onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, WDFN, μCool Nej
- RS-varenummer:
- 121-6306
- Producentens varenummer:
- NTLJD3119CTBG
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.684,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.355,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,228 | Kr. 6.684,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-6306
- Producentens varenummer:
- NTLJD3119CTBG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | μCool | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.69V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 2mm | |
| Bredde | 2 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie μCool | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.69V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 2mm | ||
Bredde 2 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
NTJD1155L er et MOSFET med to kanaler. Med både P- og N-kanals i en enkelt pakke er dette MOSFET fremragende til lavt kontrolsignal, lav batterispænding og høj belastningsstrøm. N-kanalen er udstyret med intern ESD-beskyttelse og kan drives af logiske signaler så lavt som 1,5 V, mens P-kanalen er designet til at blive brugt til belastningsskifteopgaver. P-kanalen er også designet med ON semis skytteknologi.
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi 2 Type P MOSFET 6 Ben μCool Nej NTLJD3119CTBG
- onsemi Type P-Kanal 7.9 A 100 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 4.4 A 100 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 20 A 60 V Forbedring WDFN, NTTFS5116PL Nej
- onsemi Type P-Kanal 22 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 7.9 A 100 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej FDMS86163P
- onsemi Type P-Kanal 22 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej FDMS86263P
- onsemi Type P-Kanal 4.4 A 100 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej FDMC86139P
