onsemi N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 ben, WDFN NTLJD3119CTBG

RS-varenummer:: 780-0655
Producentens varenummer:: NTLJD3119CTBG
Brand:: onsemi

onsemi N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 ben, WDFN NTLJD3119CTBG

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 10)

Kr. 4,54

(ekskl. moms)

Kr. 5,68

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 06-03-2025*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
10 - 90	Kr. 4,54	Kr. 45,40
100 - 240	Kr. 3,912	Kr. 39,12
250 - 490	Kr. 3,396	Kr. 33,96
500 - 990	Kr. 2,985	Kr. 29,85
1000 +	Kr. 2,715	Kr. 27,15

RS-varenummer:: 780-0655
Producentens varenummer:: NTLJD3119CTBG
Brand:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,1 A, 4,6 A
Drain source spænding maks.	20 V
Kapslingstype	WDFN
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	6
Drain source modstand maks.	120 mΩ, 200 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	1V
Effektafsættelse maks.	2,3 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-8 V, +8 V
Længde	2mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	3,7 nC ved 4,5 V, 5,5 nC ved 4,5 V
Antal elementer per chip	2
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	2mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	0.75mm

onsemi N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,1 A, 4,6 A 20 V, 6 ben, WDFN NTLJD3119CTBG

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

Relaterede links