onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, WDFN, μCool
- RS-varenummer:
- 780-0655
- Producentens varenummer:
- NTLJD3119CTBG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 54,90
(ekskl. moms)
Kr. 68,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,49 | Kr. 54,90 |
| 100 - 240 | Kr. 4,742 | Kr. 47,42 |
| 250 - 490 | Kr. 4,099 | Kr. 40,99 |
| 500 - 990 | Kr. 3,605 | Kr. 36,05 |
| 1000 + | Kr. 3,284 | Kr. 32,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0655
- Producentens varenummer:
- NTLJD3119CTBG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | μCool | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.3W | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.69V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Bredde | 2mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie μCool | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.3W | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.69V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Bredde 2mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
NTJD1155L er et MOSFET med to kanaler. Med både P- og N-kanals i en enkelt pakke er dette MOSFET fremragende til lavt kontrolsignal, lav batterispænding og høj belastningsstrøm. N-kanalen er udstyret med intern ESD-beskyttelse og kan drives af logiske signaler så lavt som 1,5 V, mens P-kanalen er designet til at blive brugt til belastningsskifteopgaver. P-kanalen er også designet med ON semis skytteknologi.