DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 121-9434
- Producentens varenummer:
- BSS84W-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 975,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.218,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 42.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,325 | Kr. 975,00 |
| 9000 + | Kr. 0,305 | Kr. 915,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-9434
- Producentens varenummer:
- BSS84W-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | BSS84W | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.59nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie BSS84W | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.59nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SC-70 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 360 mA 50 V Forbedring SC-70 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SC-70 AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SC-89 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Enkelt 360 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q100
