DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 820 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, DMG1013UW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 121-9540
- Producentens varenummer:
- DMG1013UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 972,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.215,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
- Plus 201.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,324 | Kr. 972,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,286 | Kr. 858,00 |
| 15000 + | Kr. 0,269 | Kr. 807,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-9540
- Producentens varenummer:
- DMG1013UW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 820mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | DMG1013UW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 6 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.62nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 820mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie DMG1013UW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 6 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310mW | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.62nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 12 V til 25 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 820 mA 20 V Forbedring SC-70, DMG1013UW AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring SC-70, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SC-70 AEC-Q100, AEC-Q200
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1 A 20 V Forbedring SC-70, DMG1012UW-7 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 70 mA 600 V Forbedring SC-59, BSS127 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4 A 30 V Forbedring SC-70, DMN3065LW AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SC-70, DMN AEC-Q101
