DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 122-3318
- Producentens varenummer:
- DMN3032LE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.545,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.430,00
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,418 | Kr. 3.545,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-3318
- Producentens varenummer:
- DMN3032LE-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.55 mm | |
| Længde | 6.55mm | |
| Højde | 1.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.3nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.55 mm | ||
Længde 6.55mm | ||
Højde 1.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 15.4 A 30 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.3 A 20 V Forbedring SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 900 mA 20 V Forbedring SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.5 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.8 A 30 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101