onsemi Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 79 A 150 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 124-1748
- Producentens varenummer:
- FDP2532
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 730,70
(ekskl. moms)
Kr. 913,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 750 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 14,614 | Kr. 730,70 |
| 100 - 200 | Kr. 14,029 | Kr. 701,45 |
| 250 + | Kr. 13,591 | Kr. 679,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-1748
- Producentens varenummer:
- FDP2532
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 79A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering, Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.016Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 79A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering, Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.016Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF620
- Vishay Type N-Kanal 15 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRL
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 202 A 40 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE