Vores services
Industry hub
Tilbud og rabatter
Pakkesporing
Log ind / Registrér
Log ind
/
Tilmeld dig
for at få adgang til dine fordele
Menu
Varenummer
Seneste søgninger
Afbrydere og omskiftere
Afbrydermateriel og sikringer
Automation og styring
Belysning
Kabinetter og serverracks
Kabler og ledninger
Relæer og signalbehandling
Varme, ventilation, blæsere og varmehåndtering
Batterier og opladere
Displays og optoelektronik
ESD-sikring, renrum og printfremstilling - PCB
Halvledere
Passive komponenter
Raspberry Pi, Arduino, ROCK og udviklingsværktøj
Stik, klemmer og terminaler
Strømforsyninger og transformere
Befæstelseselementer
Håndværktøj
Konstruktionsmaterialer og industriel hardware
Lagerinventar og materialehåndtering
Lejer og tætninger
Lim, tætningsmidler og tape
Mekanisk transmission
Pneumatik og hydraulik
Power tools, lodning og svejsning
VVS og rørledning
Computere og enheder
Kontorforsyning
Personlige værnemidler & Arbejdstøj
Rengøring og vedligeholdelse
Sikkerhed og isenkram
Sikkerhed på arbejdspladsen
Test- og måleudstyr
/
Halvledere
/
Diskrete halvledere
/
MOSFET
Nexperia N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V, 4 ben, LFPAK, SOT-669 PSMN3R3-40YS,115
RS-varenummer:
124-2413
Producentens varenummer:
PSMN3R3-40YS,115
Brand:
Nexperia
Se alle MOSFET
Dette produkt er udgået
RS-varenummer:
124-2413
Producentens varenummer:
PSMN3R3-40YS,115
Brand:
Nexperia
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Egenskaber
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS-Deklaration
Statement of conformity
COO (Country of Origin):
PH
N-kanal MOSFET, 40 V til 55 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Attribute
Value
Kanaltype
N
Drain-strøm kontinuerlig maks.
100 A
Drain source spænding maks.
40 V
Kapslingstype
LFPAK, SOT-669
Monteringstype
Overflademontering
Benantal
4
Drain source modstand maks.
4,5 mΩ
Kanalform
Enhancement
Maks. tærskelspænding for port
4V
Mindste tærskelspænding for port
2V
Effektafsættelse maks.
117 W
Transistorkonfiguration
Enkelt
Gate source spænding maks.
-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.
+175 °C
Længde
5mm
Antal elementer per chip
1
Bredde
4.1mm
Gate-ladning ved Vgs typisk
49 nC ved 10 V
Transistormateriale
Si
Driftstemperatur min.
-55 °C
Højde
1.1mm
Relaterede links
Nexperia N-Kanal 100 A 40 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 90 A 40 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 46 A 40 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 100 A 40 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 67 A 30 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 76 A 30 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 44 A 60 V LFPAK115
Nexperia N-Kanal 100 A 30 V LFPAK115