Nexperia N-Kanal, MOSFET, 34 A 80 V, 4 ben, SOT-669 PSMN026-80YS,115

Brand

Nexperia

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

34 A

Drain source spænding maks.

80 V

Kapslingstype

SOT-669

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

42 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

74 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

4.1mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Længde

5mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

20 nC ved 10 V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.1mm