Nexperia N-Kanal, MOSFET, 34 A 80 V, 4 ben, SOT-669 PSMN026-80YS,115

RS-varenummer:: 798-2861
Producentens varenummer:: PSMN026-80YS,115
Brand:: Nexperia

Nexperia N-Kanal, MOSFET, 34 A 80 V, 4 ben, SOT-669 PSMN026-80YS,115

Dette produkt er udgået

RS-varenummer:: 798-2861
Producentens varenummer:: PSMN026-80YS,115
Brand:: Nexperia

PSMN026-80YS, N-channel LFPAK 80V, 27.5mΩ standard level MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	34 A
Drain source spænding maks.	80 V
Kapslingstype	SOT-669
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	4
Drain source modstand maks.	42 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	74 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Bredde	4.1mm
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk	20 nC ved 10 V
Længde	5mm
Antal elementer per chip	1
Højde	1.1mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Nexperia N-Kanal, MOSFET, 34 A 80 V, 4 ben, SOT-669 PSMN026-80YS,115

N-kanal MOSFET, 60 V til 80 V, Nexperia

Relaterede links