Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 30 A 80 V, 4+Tab ben, LFPAK RJK0852DPB-WS#J5
- RS-varenummer:
- 124-3703
- Producentens varenummer:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Brand:
- Renesas Electronics
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)
Kr. 8,792
(ekskl. moms)
Kr. 10,99
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 5 - 5 | Kr. 8,792 | Kr. 43,96 |
| 10 - 20 | Kr. 7,912 | Kr. 39,56 |
| 25 - 120 | Kr. 7,198 | Kr. 35,99 |
| 125 - 245 | Kr. 6,594 | Kr. 32,97 |
| 250 + | Kr. 6,088 | Kr. 30,44 |
- RS-varenummer:
- 124-3703
- Producentens varenummer:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Brand:
- Renesas Electronics
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal lav spænding MOSFET'ere op til 140 V, Renesas Electronics
MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 30 A |
| Drain source spænding maks. | 80 V |
| Kapslingstype | LFPAK |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 4+Tab |
| Drain source modstand maks. | 14 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Effektafsættelse maks. | 55 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Længde | 5.3mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 28 nC ved 4,5 V |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 3.95mm |
| Højde | 1.03mm |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.1V |
- RS-varenummer:
- 124-3703
- Producentens varenummer:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Brand:
- Renesas Electronics